Multiferroischer Tunnelkontakt für hohe Speicherdichten und Spintronik https://www.mpg.de/5047313/multiferroischer_tunnelkontakt_datenspeicher_spintronik
In einem multiferroischen Tunnelkontakt, die M. Alexe und D. Hesse am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik hergestellt haben, hat eine Änderung der Polarisation in der ferroelektrischen Bleizirkonattitanat-Schicht eine Änderung sowohl des elektrischen Tunnelwiderstand als auch des Tunnelmagnetowiderstands zwischen einer ferromagnetischen Cobalt- und einer ferromagnetischen Lanthanstrontiummanganatschicht zur Folge. Nanokondensatoren, in denen sich auf diese Weise, die elektrische und magnetische Komponente des Tunnelstroms ändern lässt, ermöglichen Datenspeicher mit hoher Datendichte und könnten als spin-selektive Schalter in der Spintronik dienen.
Marin Alexe Reversible electrical switching of spin polarization in multiferroic tunnel